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本文简略介绍高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半径验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率.
高能质子引起器件单粒子效应的研究方法
【摘 要】
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本文简略介绍高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半径验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,并用重离子实验数据预
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所(兰州)
【出 处】
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中国空间科学学会实践五号卫星空间探测与试验成果学术会议
【发表日期】
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2002年9期
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