【摘 要】
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探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结果
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探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ￣２的阳极电流。
The parameter design, process design and implementation method of the new power device MCT (MOS control thyristor) are discussed. MCT samples were made in the lab using computer technology simulations using techniques such as SDB (Silicon Direct Bonding), silicon gate self-alignment and multilayer dielectric isolation. The test results show that the anodic current of 42A / cm ~ 2 can be switched off in 5μs under the gate bias of -12V.
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