冷等静压-烧结法制备ITO磁控溅射靶材的工艺研究

来源 :稀有金属与硬质合金 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhhq516686

【摘要】

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采用冷等静压-烧结法制备了ITO磁控溅射靶材.该工艺用化学沉淀法制备ITO复合粉末,通过冷等静压(CIP)进行粉末压制,压坯的相对密度约为60%,将此压坯在1 600 ℃下烧结6 h,可得

【作者】

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李晶陈世柱李芝华

【机构】

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中南大学材料科学与工程学院

【出处】

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稀有金属与硬质合金

【发表日期】

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2003年4期

【关键词】

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冷等静压烧结靶材相对密度复合粉末 ITO 磁控溅射 CIPsinteringtargetrelative density

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采用冷等静压-烧结法制备了ITO磁控溅射靶材.该工艺用化学沉淀法制备ITO复合粉末,通过冷等静压(CIP)进行粉末压制,压坯的相对密度约为60%,将此压坯在1 600 ℃下烧结6 h,可得到相对密度＞90%的ITO靶材.同时还通过实验考察了粉末粒度、烧结温度、烧结时间对靶材密度的影响,并对ITO靶材的烧结过程和烧结气氛进行了讨论.

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