【摘 要】
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采用射频反应溅射方法在Ａｒ＋Ｏ２气氛中制备了ＣｄＩｎ２Ｏ４薄膜，报道了在不同氧浓度下该膜的透射率和折射率随波长的变化关系。发现氧浓度越高，膜透射率越低，而消光系数、折射率相应地越大。对这些结
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采用射频反应溅射方法在Ａｒ＋Ｏ２气氛中制备了ＣｄＩｎ２Ｏ４薄膜，报道了在不同氧浓度下该膜的透射率和折射率随波长的变化关系。发现氧浓度越高，膜透射率越低，而消光系数、折射率相应地越大。对这些结果从ＣＩＯ膜的晶格常数、载流子浓度等角度进行了理论分析。
The CdIn2O4 thin films were prepared by RF reactive sputtering in Ar + O2 atmosphere. The transmittance and refractive index of the films at different oxygen concentrations were reported as a function of wavelength. It was found that the higher the oxygen concentration, the lower the film transmittance, whereas the extinction coefficient, the higher the index of refraction. These results from the CIO film lattice constant, carrier concentration point of view of a theoretical analysis.
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