【摘 要】
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采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向
【机 构】
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中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所多功能材料与轻巧系统重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(U1830112),江苏省自然科学基金(BK20191195),微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室开放项目(6142803180407)资助
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采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器件的电学和光学隔离效果越好。当离子注入能量为60 keV时,Micro-LED阵列具有相对最佳的光电效果,同时基于该离子注入能量制备的4μm超小尺寸Micro-LED阵列的光功率密度高达20
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