【摘 要】
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用自治LMTO方法算得Ni_3Si化合物的能带结构与LCGO结果符合得相当好;与LCGO结果不同的是:本工作表明离子性对化学键的贡献非常小,在Ni_3Si 中每一Ni原子有10.03个电子,然而,N
【机 构】
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复旦大学现代物理研究所,中国科学院上海冶金所
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用自治LMTO方法算得Ni_3Si化合物的能带结构与LCGO结果符合得相当好;与LCGO结果不同的是:本工作表明离子性对化学键的贡献非常小,在Ni_3Si 中每一Ni原子有10.03个电子,然而,Ni 3d电子却略有减少.Ni 3p电子芯移计算值与Franciosi等实验研究可相比较,表明计算所得电荷转移的大小是合理的.
The band structure of the Ni_3Si compound calculated by the Autonomous LMTO method is in good agreement with that of the LCGO. The difference with the LCGO results is that this work shows that the ionic contribution to the chemical bond is very small, with 10.03 electrons per Ni atom in Ni_3Si, However, Ni 3d electrons decreased slightly, and the calculated values of Ni 3p electron core shift were comparable with the experimental studies of Franciosi et al., Indicating that it is reasonable to calculate the magnitude of the resulting charge transfer.
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