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用离子束增强沉积法从五氧化钒直接制备二氧化钒薄膜.750℃氮气退火后,薄膜的热电阻温度系数高达4.07%.高剂量的氢、氩混合束的注入使薄膜中的氧缺位较少,并在薄膜中引入了应力,使薄膜的温度-电阻曲线的斜率变大,可能是TCR增大的原因.
离子束增强沉积氧化钒薄膜的温度系数
【摘 要】
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用离子束增强沉积法从五氧化钒直接制备二氧化钒薄膜.750℃氮气退火后,薄膜的热电阻温度系数高达4.07%.高剂量的氢、氩混合束的注入使薄膜中的氧缺位较少,并在薄膜中引入了应
【机 构】
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江苏工业学院,江苏工业学院
【出 处】
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哈尔滨理工大学学报
【发表日期】
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2003年5期
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