【摘 要】
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随着高速化光通信的发展,InP 半导体的生产正在急速扩大。传输速度在10Gb 以下时,采用 GaAs、SiGe 半导体;40Gb 以上的传输速度则主要采用 InP。目前 WDW 传输是10Gb,近年将
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随着高速化光通信的发展,InP 半导体的生产正在急速扩大。传输速度在10Gb 以下时,采用 GaAs、SiGe 半导体;40Gb 以上的传输速度则主要采用 InP。目前 WDW 传输是10Gb,近年将达到40Gb/s 的高速化,10Gb/s 以下的传输速度采用 GaAs、SiGe 半导体,43Gb 是其极限。所以40Gb 以上的开发主要为 InP HEMT。
With the development of high-speed optical communications, the production of InP semiconductors is rapidly expanding. Transmission speed below 10Gb, the use of GaAs, SiGe semiconductor; more than 40Gb transmission speed is mainly used InP. WDW transmission is currently 10Gb, in recent years will reach 40Gb / s speed, 10Gb / s transmission speed using GaAs, SiGe semiconductor, 43Gb is the limit. Therefore, the development of more than 40Gb InP HEMT.
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