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实验采用射频磁控溅射技术,制备了不同溅射时间下AIN缓冲层的ZnO薄膜,研究了薄膜的结构、形貌及电学性能.结果表明,不同溅射时间下AIN缓冲层ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取向,而且当缓冲层溅射时间为60min时,ZnO薄膜的结构和电学性能最好.
不同溅射时间下AIN缓冲层对ZnO薄膜的影响
【摘 要】
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实验采用射频磁控溅射技术,制备了不同溅射时间下AIN缓冲层的ZnO薄膜,研究了薄膜的结构、形貌及电学性能.结果表明,不同溅射时间下AIN缓冲层ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取
【机 构】
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牡丹江师范学院新型碳基功能与超硬材料省级重点实验室,黑龙江牡丹江,157012;牡丹江师范学院新型碳基功能与超硬材料省级重点实验室,黑龙江牡丹江157012;黑龙江商业职业学院,黑龙江牡丹江15701
【出 处】
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哈尔滨理工大学学报
【发表日期】
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2012年2期
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