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研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光（PL）的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391～1438nm的高质量InAs量子点。研究发现对量子点GaAs间隔层实施原位退火、采用Sb辅助生长InGaAs盖层等方法可以增强高密度（2×1010 cm-2）InAs量子点的发光强度,减小光谱线宽,改善均匀性和红移发光波长。