【摘 要】
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利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度（-5×1010cm-2）的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs（In组分的摩尔分数为
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度（-5×1010cm-2）的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs（In组分的摩尔分数为12%）低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346μm,光谱线宽为24 meV.研究结果表明,利用较低温度生长InAs量子点,结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移,有效地改善材料的光学特性.
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