【摘 要】
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本文研究、设计了一个可用于MRI的低噪声前置放大器.提出了一个3元件的噪声匹配网络方案,用以变换50Ω信号源阻抗为FET的最佳源阻抗,以使前置放大器的噪声系数达到最小,并具
【机 构】
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北京大学物理学院重离子所医学物理和工程北京市重点实验室,
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本文研究、设计了一个可用于MRI的低噪声前置放大器.提出了一个3元件的噪声匹配网络方案,用以变换50Ω信号源阻抗为FET的最佳源阻抗,以使前置放大器的噪声系数达到最小,并具有可观的增益.实验证明前置放大器输入端在阻抗匹配条件下可获得最大增益但噪声系数不小.用砷化镓场效应管(AsGa-FET)ATF33143作为放大管制作的单级低噪声前置放大器在128MHz(3T)频率上用网络分析仪(HP8712C)测量增益可以达到25dB,用噪声系数分析仪(8970B)测量的噪声系数为0.43dB.
In this paper, a low-noise preamplifier that can be used in MRI is designed and a 3-element noise matching network scheme is proposed to transform the impedance of 50Ω signal source into the optimal source impedance of FET so as to make the preamplifier’s noise figure To achieve the minimum, and has considerable gain.Experiments show that preamplifier input impedance matching conditions in the maximum gain available but the noise figure is not small.AsGa-FET FET (AsGa-FET) ATF33143 as a single amplifier tube Level low noise preamplifier measures gain up to 25dB with a network analyzer (HP8712C) at 128MHz (3T) and a noise figure of 0.43dB with a noise figure analyzer (8970B).
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