【摘 要】
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用不同升温速率控制ＰＺＴ薄膜晶化过程，实验结果表明，当晶化温度在４００～６００℃时，薄膜显焦绿石相，当采用较高升温速率５０℃／ｍｉｎ时，在硅片上可缩小焦绿石相生成，提高钙钛矿相形成，从而获得取向性高的钙钛矿
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用不同升温速率控制ＰＺＴ薄膜晶化过程，实验结果表明，当晶化温度在４００～６００℃时，薄膜显焦绿石相，当采用较高升温速率５０℃／ｍｉｎ时，在硅片上可缩小焦绿石相生成，提高钙钛矿相形成，从而获得取向性高的钙钛矿相ＰＺＴ薄膜
The results show that when the crystallization temperature is between 400 ℃ and 600 ℃, the film shows pyrochlore phase. When using a higher heating rate of 50 ℃ / min, the pyrochlore can be reduced on the silicon wafer Phase formation, improve the formation of perovskite phase, so as to obtain highly oriented perovskite phase PZT film
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