,Current Induced Non-Volatile Resistive Switching Effect in Silicon Devices with Large Magnetoresist

来源 :中国物理快报（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：xxx12

【作者】

：

WANG Ji-Min ZHANG Xiao-Zhong PIAO Hong-Guang LUO Zhao-Chu XIONG Cheng-Yue

【机构】

：

Key Laboratory of Advanced Materials(MOE), School of Materials Science and Engineering,Tsinghua Univ

【出处】

：

中国物理快报（英文版）

【发表日期】

：

2014年7期

【关键词】

：

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