【摘 要】
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本文介绍了MOS结构中Si—SiO_2系统可动电荷的一种测量方法—温度—偏压法(简称B—T法)。给出用MOSC—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷的原理和分析方法,对测量中出现的问题
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本文介绍了MOS结构中Si—SiO_2系统可动电荷的一种测量方法—温度—偏压法(简称B—T法)。给出用MOSC—V技术测量Si—SiO_2系统可动电荷的原理和分析方法,对测量中出现的问题作了定性的分析。该测量方法具有简单易行、直观性强、计算方便等优点。适用于工厂中做一般的工艺监控。
This paper presents a measurement method of temperature-bias (referred to as B-T method), a measure of the movable charge of Si-SiO 2 system in MOS structure. The principle and analysis method of measuring the movable charge of Si-SiO_2 system by MOSC-V technology are given, and the problems in the measurement are analyzed qualitatively. The measurement method is simple, intuitive, easy to calculate and so on. For the factory to do the general process monitoring.
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