位相损耗腔中简并双光子拉曼耦合系统中的熵特性

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fr20899
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了简并双光子拉曼耦合过程中存在位相损耗时,光场-原子系统线性熵、光场线性熵和原子线性熵的特性,讨论了原子相干性和光场平均光子数对各线性熵的影响.结果表明:由于位相损耗的存在使系统的线性熵除初始时刻为零外,其他时刻均大于零,且与原子初始状态无关,即原子相干性对系统线性熵没有影响.当原子初始处于激发态或基态时,原子线性熵呈现出较完美的周期性;而在原子初始处于激发态和基态的叠加态时,原子的线性熵始终为零.随光场平均光子数的增加,各线性熵均会增大.
其他文献
对锶镁掺杂镓酸镧(La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85, 简写为LSGM1020)固体电解质的电化学性能进行了初步研究, 并测试了以之为电解质, Ni-CeO2为阳极, La(Sr)MnO3为阴极的氢-氧燃
应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点
结合分形理论与渗流理论 ,对分形油藏非牛顿幂律流体低速非达西不稳定渗流的试井分析问题的数学模型进行了推导 .该分形油藏模型由内域为非牛顿幂律流体低速非达西渗流 ,外域
芯片毛细管电泳 (Chip CE)技术在近几年已取得了很大的进展。本文着重介绍芯片毛细管区带电泳技术 ,对等电聚焦、等速电泳、自由溶液电泳及胶束电动色谱等其它芯片电泳模式也
The practical application of photocatalysts usually requires immobilization of the photocatalyst in several types of reactor configurations, so that the photoca
Using MgSO4 and NaOH solutions as starting materials, the whisker of 5Mg(OH)2·MgSO4·2H2O has been prepared by hydrothermal method at 160℃ for different time.
以结构安全度为约束条件 ,将结构的变形测量误差视为等效荷载纳入荷载组合 ,获取荷载最不利组合状态下的极限变形Δ ;从统计力学角度界定变形体的允许变形、必要测量精度指标等参数
研究了电流控制型Buck-Boost变换器中的分叉与混沌问题.在连续模式下的Buck-Boost变换器的离散数学模型基础上,从不动点及稳定性理论的角度对Buck-Boost变换器的第一分叉点进
采用Ce(NO3 ) 3 ·6H2 O、NiSO4·6H2 O、FeCl3 ·3H2 O和H2 C2 O4·2H2 O为原料 ,室温固相反应制备出相应的草酸盐前驱物 ,将前驱物在 3 80℃下分解 3h ,得到Ce0 .2 5NiFeO3
本文研究了多目标决策模糊优选 (优化 )模型的逆命题 .提出了符合决策者意图的两种权重计算方法 :(1)采用海明距离的线性方程组求解方法 ;(2 )采用欧氏距离的模糊模式识别交