【摘 要】
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采用高质量的 MBE材料 ,成功地制作了单胞栅宽 2 0 mm的芯片。用栅与 n+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长 0 .45 μm的 Ti Pt Au栅 ,欧姆接触采用 Au Ge Ni合金工艺 ,采用
【机 构】
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采用高质量的 MBE材料 ,成功地制作了单胞栅宽 2 0 mm的芯片。用栅与 n+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长 0 .45 μm的 Ti Pt Au栅 ,欧姆接触采用 Au Ge Ni合金工艺 ,采用 PECVD Si N钝化 ,空气桥结构及芯片减薄 Via-Hole工艺。经内匹配得到了单胞芯片 3.7～ 4.2 GHz下 Po≥ 7.3W,Gp≥ 8d B,ηadd>2 5 % ;4胞合成器件 Po≥ 2 5 W,Gp>7d B,ηadd>2 5 %的良好结果。
Using high-quality MBE materials, we succeeded in fabricating chips with a single cell gate width of 20 mm. A 0.45 μm Ti Pt Au grid with gate and n + groove self-alignment and ancillary sidewall technology was fabricated. The ohmic contact was Au Ge Ni alloy, PECVD Si N passivation, air bridge structure and chip subtraction Thin Via-Hole process. The results of in-cell matching showed that the single cell chip Po≥7.3W, Gp≥8d B, ηadd> 25% at 3.7 ~ 4.2 GHz, the cell synthesizer Po≥25 W, Gp> 7d B, ηadd> 25% Good result.
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