【摘 要】
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应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为．发现随着退火温度（ＴＡ）升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整，当ＴＡ高于４４０℃，晶格质量陡峭地下降，ＴＡ越高，越多的Ａｓ占据Ｔｅ位作为
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室
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应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为．发现随着退火温度（ＴＡ）升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整，当ＴＡ高于４４０℃，晶格质量陡峭地下降，ＴＡ越高，越多的Ａｓ占据Ｔｅ位作为Ｔｅ位受主，样品表现为更小的补偿系数和更高的空穴浓度
The thermal annealing behavior of as-implanted CdTe MBE epitaxial films was systematically studied by using resonance Raman and fluorescence spectroscopy. It was found that the lattice recovery and the defect state were the most complete when the annealing temperature (TA) was raised to 440 ° C. When the TA was higher than 440 ° C, the lattice quality steeply decreased, and the higher the TA, the more occupied As As the acceptor for the Te site, the sample showed a smaller compensation coefficient and a higher hole concentration
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