RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kakayang

【摘要】

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采用熔盐法生长了大尺寸RbTiOAsO4晶体.利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法,研究了RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷.发现该晶体中的生长缺陷主要为生长位错和生长扇界,大部分位错沿[1

【作者】

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胡小波王继扬魏景谦崔伟红刘宏刘耀岗

【机构】

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山东大学晶体材料国家重点实验室

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

RbTiOAsO4晶体位错生长扇界生长机制同步辐射形貌术非线性光学晶体

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采用熔盐法生长了大尺寸RbTiOAsO4晶体.利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法,研究了RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷.发现该晶体中的生长缺陷主要为生长位错和生长扇界,大部分位错沿[100]方向,Burgers矢量为[001].在扫描电镜下,对原生RbTiOAsO4晶体的表面形态进行了观察,根据其表面二次电子像的特征,对不同晶面的生长控制机制进行了讨论.

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