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报道了一种用于长波长新的片直接贴合Ino53Gao．47As／InP—GaAs／Al0．2Ga0．8AsAPD的设计和制造。使用MBE技术，在P＋InP衬底上生长掺Be的P型InP薄层，在n＋GaAs衬底上生长掺Be的P型GaAs薄层，并对此两薄层界面进行片直接贴合。成功地在1．3、1．55μm的波长分别获得约47％和33％的均匀增益外量子效率，雪崩增益M为25的APD。