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采用直流磁控反应溅射法，在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜，并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究。结果表明N型(100)Si衬底上，ZnO(002)取向度最高，分析认为是由于N型(100)Si与ZnO(002)晶格匹配度高所致。
溅射法生长高度取向ZnO的实验研究
【摘 要】
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采用直流磁控反应溅射法，在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜，并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究。结果表明N型(100)Si衬底上，ZnO(002)取向度最高，分析认为
【机 构】
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天津理工学院材料物理所
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2004年3期
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