【摘 要】
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硅纳米晶体作为最重要的元素半导体-硅的一种纳米形式,由于具有独特的光电特性和友好的环境相容性引起了研究者们的广泛关注。近年来,人们围绕着量子限域效应、表面效应和掺
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点研发计划项目(2017YFA0205700);国家自然科学基金面上项目(61774133,61474097);国家自然科学基金创新研究群体项目(61721005)
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硅纳米晶体作为最重要的元素半导体-硅的一种纳米形式,由于具有独特的光电特性和友好的环境相容性引起了研究者们的广泛关注。近年来,人们围绕着量子限域效应、表面效应和掺杂效应三个最重要的因素对硅纳米晶体的性质开展了研究,并通过三者对硅纳米晶体的电学和光学性能进行调控,使其满足面向印刷电子、硅基集成和生物兼容的高性能光电器件的应用。目前,基于硅纳米晶体的太阳能电池、发光二极管和光电探测器等重要光电器件已经被研制出来。综述了近年来国内外研究者们在硅纳米晶体的制备、性质研究及其在光电器件中的应用所取得的研究进展,并展望了硅纳米晶体在材料性能调控方面的发展前景。
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