【摘 要】
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将 Zr+注入单晶 Cu中 ,注入能量为 60 ke V,注入剂量分别为 5× 1 0 16,1× 1 0 17,2× 1 0 17ion/cm2 .TEM分析表明 :在单晶 Cu中形成弥散相Cu5Zr和 Cu Zr,该相与原始单晶 C
【机 构】
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沈阳工业学院基础课部,东北大学rrrrrrrrrn,东北大学 辽宁沈阳110016
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将 Zr+注入单晶 Cu中 ,注入能量为 60 ke V,注入剂量分别为 5× 1 0 16,1× 1 0 17,2× 1 0 17ion/cm2 .TEM分析表明 :在单晶 Cu中形成弥散相Cu5Zr和 Cu Zr,该相与原始单晶 Cu的晶面有共格关系 ,且弥散相 Cu5Zr和Cu Zr随注入剂量的增加而增多、变大 ,Zr+注入后样品表面硬度有所提高
Zr + was implanted into single crystal Cu with an energy of 60 keV and implantation doses of 5 × 10 16 and 1 × 10 17 and 17 × 10 17 ions / cm 2, respectively. TEM analysis showed that the dispersion Phase Cu5Zr and CuZr, the phases are in a coherent relationship with the crystal plane of the original single crystal Cu, and the dispersive phases Cu5Zr and CuZr increase with the increase of the injected dose and increase, and the surface hardness of the samples increases after the Zr + implantation
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