【摘 要】
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目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介.为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响.当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院,滨州师专物理系
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目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介.为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响.当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00增加到1.00%时,(Co,Nb)掺杂的SnO2压敏电阻的击穿电压从345 V/mm增大到485 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 590减小到1 120.晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Zr的含量对势垒高度的影响较小.SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Zr掺杂
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