【摘 要】
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研究了低压 OMVPE 法 InGaAsP(λ=1.3μm)选择区域生长,并将它与 InP、InGaAs 和 InGaP 的选择生长特性进行了比较,发现在三种合金中,铟成份的增加伴随着条形开中宽度的减小
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研究了低压 OMVPE 法 InGaAsP(λ=1.3μm)选择区域生长,并将它与 InP、InGaAs 和 InGaP 的选择生长特性进行了比较,发现在三种合金中,铟成份的增加伴随着条形开中宽度的减小。InGaAsP、InGaAs 和InGaP 三者生长速率增加的情形相似,而 TnP 则略高些。在 InP、InGaAsP 处延层中可观察到条形开口边缘
The growth of the InGaAsP (λ = 1.3μm) region under low-voltage OMVPE was studied and compared with the selective growth characteristics of InP, InGaAs and InGaP. It was found that the increase of indium content in the three alloys was accompanied by the striation Reduced width. The growth rates of InGaAsP, InGaAs and InGaP are similar, while TnP is slightly higher. Bar in the InP, InGaAsP layer can be observed in the edge of the open bar
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