【摘 要】
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目前,MOS动态存储器的开发速度相当迅速,1K位存储器发表以来约3年的时间,集成度已提高了4倍。64K存储器也不例外,本公司(富士通公司)于1978年开发了双电源(7V,—2.5V)的MB81
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目前,MOS动态存储器的开发速度相当迅速,1K位存储器发表以来约3年的时间,集成度已提高了4倍。64K存储器也不例外,本公司(富士通公司)于1978年开发了双电源(7V,—2.5V)的MB8164,进而又研究出了下述的5V单电源64K存储器MB8264。MB8264的开发满足了市场用简易的5V单电源构成系统的要求。
At present, MOS dynamic memory development speed quite rapidly, 1K bit memory has been published about 3 years, the degree of integration has increased 4 times. 64K memory is no exception, the company (Fujitsu Limited) in 1978 developed a dual power (7V, -2.5V) MB8164, and then developed the following single-supply 5V 64K memory MB8264. The MB8264 has been developed to meet the market requirements for a system that uses a simple 5V single supply.
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