【摘 要】
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SiC作为新一代宽禁带半导体材料，凭借其优异的电热特性，正逐渐投入市场并取代Si器件，然而其在实际应用时仍然面临着由于热应力带来的可靠性问题。为此，本体提出利用SiC MOSFET模
【机 构】
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重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51577020)
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SiC作为新一代宽禁带半导体材料，凭借其优异的电热特性，正逐渐投入市场并取代Si器件，然而其在实际应用时仍然面临着由于热应力带来的可靠性问题。为此，本体提出利用SiC MOSFET模块中的反并联SiC SBD芯片的正向导通压降来获取其降温曲线，并根据降温曲线的拟合时间常数与模块热网络参数之间的关系，求解得到模块的RC Cauer热网络参数。该方法在简化了功率测量的步骤与热稳态平衡的条件的同时，还可得到精确的热网络模型用于各方面研究。
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