【摘 要】
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传统 LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断.为了提高传统 LVTSCR 的维持电压,基于 0.18μm BCD工艺,提出一种内嵌 P型浅阱的新型LVTSCR(EP-LVTSC
【机 构】
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郑州大学信息工程学院,郑州,450000
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传统 LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断.为了提高传统 LVTSCR 的维持电压,基于 0.18μm BCD工艺,提出一种内嵌 P型浅阱的新型LVTSCR(EP-LVTSCR).采用 Sentaurus TCAD,对提出的器件进行建模和测试.结果表明,该EP-LVTSCR的维持电压从传统 LVTSCR 的1.52 V提升到 3.85 V,具有免疫闩锁效应的能力,可应用于 3.3 V电源的 ESD防护.
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