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测量了Cr4 :YAG、Cr4 :Mg2SiO4晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱、吸收光谱和激发态寿命,讨论了温度变化时,两种晶体中Cr4 近红外辐射积分强度变化与激发态寿命变化的关系,得出结论:在77～300 K范围内,Cr4 的3T2能级荧光辐射截面本身受温度影响不大,Cr4 辐射荧光的变化,主要是由无辐射驰豫速率随温度变化而引起的。