论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射设备以NiO为空穴注入层在MQWs/n?GaN上制备了p?NiO/MQWs/n?GaN异质结发光器件。通过X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外分光光度计（UV?2700）等测试系统对制备的NiO层结构、形貌及光学特性进行了测试，结果表明NiO薄膜具有较好的结晶质量。对p?NiO/MQWs/n?GaN异质结器件进行了电流?电压（I?V）特性和电致发光（EL）特性测试。I?V特性测试结果显示，器件具有明显的整流特性，开启电压约为2.9 V。EL特性测试结果显示，该器件实现了室温下的蓝紫光发射，结合GaN的光致发光（PL）谱和器件的能带结构图，对器件的电致发光机理进行了深入研究。