一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究

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通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真。使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂量辐射、中子辐射和瞬时剂量率辐射特性,为抗辐射的SOI LDMOS器件提供设计指导。
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