【摘 要】
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通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分
【机 构】
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通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。
According to the two-dimensional analytical model of GAT gate shielding effect, which is recently established by the author about the depletion layer potential distribution and electric field distribution of collector junction in GAT, “GAT achieves high frequency and high base-region punch-through voltage Compatibility Characterization ”and“ Analysis of GAT for High Current Gain and High Avalanche Breakdown Voltage Compatibility ”, the relationship between material parameters and structural parameters of GAT is quantitatively studied.
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