【摘 要】
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以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar~+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)7×7以及它
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以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar~+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)7×7以及它的负区衍射图,Si(100)2×1,Si(111)19~(1/2)×19~(1/2)Ni和Si(100)4×2Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.15—0.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
The clean Si (100) and (111) surfaces obtained by Ar ~ + ion bombardment and high temperature treatment were studied by means of reflection high energy electron diffraction and the molecular beam epitaxial growth of nickel silicide on these surfaces at room temperature. The diffraction spectra of Si (111) 7 × 7 and its negative region were obtained experimentally. The Si (100) 2 × 1, Si (111) 19 ~ (1/2) × 19 ~ (1/2) Ni and Si ) 4 × 2Ni surface structure. Experiments also show that the nickel silicide formed at low epitaxial growth rates (0.15-0.5 / min) has the same lattice structure as the silicon substrate.
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