锗单晶晶变机理的探讨

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直拉“111”锗单晶生长界面棱线处过冷度较大,容易形成偏离原晶向的稳定晶核,而且生成与生长轴成19°28'双晶需要能量小,并更有利于“111”密排面优先扩展。所以在过冷度最大的棱线小截面顶点开始出现19°28'双晶是可能的晶变机理、影响晶变因素的实验证明了较大的过冷度是晶变的先决条件。利用这种观点。解决了拉晶过程中出现的晶变问题,在生产上收到了显著的经济效果。 Czochralski crystal growth interface at the ridgeline at the supercooling degree is large, easy to form a stable crystal nucleus deviating from the original orientation, and the formation of 19 ° 28 ’twin with the growth axis requires less energy, and more conducive to “111” dense row priority expansion. Therefore, the onset of 19 ° 28 ’twinning at the apex of the small cross-section with the highest undercooling temperature is a possible mechanism of the crystal transformation. Experiments on the factors affecting the crystal deformation show that large undercooling is a prerequisite for the crystal growth. Take advantage of this view. Solve the crystallization process in the crystallization of the problem, received in the production of significant economic effects.
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