【摘 要】
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据《中国电子报》2007年4月3日报道,恩智浦半导体(NXP)发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱
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据《中国电子报》2007年4月3日报道,恩智浦半导体(NXP)发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1A时低于60mW)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和
NXP Semiconductors (NXP) unveiled the latest generation of low-VCEsat transistors, which reduce power consumption by 80% compared to normal transistors, according to China Electronics News, April 3, 2007. NXP’s new BISS (Small Signal Breakdown) transistors feature ultralow saturation voltages (less than 60mW at 1A), high circuit efficiency and lower power consumption, as well as reducing the cost of portable battery-powered products such as laptops, PDAs and PDAs
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