AI_1Ga_(1-X)As 红外发光二极管外量子效率的理论计算

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zsk1370826
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从四、五十万年前,北京猿人发明了第一个“发光器件”——枯枝点火,到现在的半导体发光管、激光器的出现,在这漫长的时间里,人类对于各种发光机理的研究,工艺的改革,及对于新的发光机理的探索从未停止过。现在,Al_xGa_(1-x)As 红外发光二极管的电—光转换效率乃是该器件研究的主要课题之一。本文想通过电——光转换机理,详细地分析外量子效率与器件的物理参数,几何参数的 From four to five hundred thousand years ago, Beijing ape-man invented the first “light-emitting device” - litter fire, and now the emergence of semiconductor light-emitting tubes, lasers, in this long period of time, humans for a variety of light-emitting mechanism Research, process reform, and exploration of new light-emitting mechanisms have never stopped. Now, the electro-optical conversion efficiency of Al_xGa_ (1-x) As infrared light-emitting diodes is one of the major topics in the research of this device. In this paper, we want to analyze the external quantum efficiency and the physical parameters of the device, the geometric parameters
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