SiGe合金单晶生长研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xumin7777
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通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%-12.92%、垂为50.60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。
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