氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究

来源 :磨擦学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：abc890619

【摘要】

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利用氮离子注入技术改善SiO2单晶表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后的SiO2单晶在干摩擦条件下与Si3N4球对摩时的磨损机理.研究结果表明,经过1×101

【作者】

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徐洮薛群基田军

【机构】

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中国科学院,兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000

【出处】

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磨擦学学报

【发表日期】

：

1999年4期

【关键词】

：

氮离子注入 SiO2单晶磨损机理 SEM

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利用氮离子注入技术改善SiO2单晶表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后的SiO2单晶在干摩擦条件下与Si3N4球对摩时的磨损机理.研究结果表明,经过1×1017 N+/cm2剂量的氮离子注入后,SiO2单晶表面的耐磨性能比注入前提高了近4个数量级.氮离子注入使SiO2单晶表层形成SiO2微晶态与非晶态共存的混合态结构,其具有良好的抗塑变和塑性剪切能力,从而使SiO2单晶的抗磨性能得到大幅度提高.

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