【摘 要】
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在较低基底温度（室温至～２００℃）下，用１０．６μｍＣＷＣＯ_２激光在硅（１００）表面生成ＳｉＯ_２薄膜，研究了反应气配比（Ｏ_２／Ｎ_２）、基底温度、激光强度、激光辐照时间等实验条件对ＳｉＯ_２薄膜形成的影响，探讨了红外激光助长的硅表面氧化
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在较低基底温度（室温至～２００℃）下，用１０．６μｍＣＷＣＯ_２激光在硅（１００）表面生成ＳｉＯ_２薄膜，研究了反应气配比（Ｏ_２／Ｎ_２）、基底温度、激光强度、激光辐照时间等实验条件对ＳｉＯ_２薄膜形成的影响，探讨了红外激光助长的硅表面氧化反应动力学过程，认为在薄层氧化区域（＜３０ｎｍ）存在反应诱导期。
At low substrate temperature (room temperature to ~ 200 ℃), SiO_2 film was formed on the surface of silicon (100) by using 10.6μm CWCO_2 laser. The effects of reactant gas ratio (O_2 / N_2), substrate temperature, laser intensity and laser irradiation Time and other experimental conditions on the formation of SiO_2 thin film, infrared laser-assisted oxidation process of silicon surface oxidation kinetics, that in the thin layer oxidation region (<30nm) reaction-induced period.
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