In2O3掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅压电陶瓷的研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:youyoucao_1
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以准同型相界组成Bi0.5(Na0.82K0.18)05TiO3(BNT)为基础配方,In2O3为改性剂,研究了In2O3掺杂量对Bi05(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅陶瓷晶体结构和电性能的影响。XRD分析表明,所有样品的相结构均为纯钙钛矿固溶体。陶瓷的晶粒尺寸随掺杂量的增加而增加。介电常数一温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰矗和tm,在tm的介电常数εm随掺杂量的增加而下降,tf和tm都随掺杂量的增加向高温移动。当In2O3摩尔分数为0.1%时,压电性能达最大值:d33=141pC/N,k
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