【摘 要】
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提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
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提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(＞600 V)击穿特性的影响,在背栅电压为330 V时,实现器件击穿电压1020 V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600 V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.
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