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讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性，并对其低压特性进行了分析和仿真．基于PMOS衬底驱动技术，设计实现了超低压运算放大器．在0．8V电源电压下，运算放大器的直流开环增益为74dB，相位裕度为66°，失调电压为940μV，输出电压范围为110-798mV．
衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计
【摘 要】
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讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性，并对其低压特性进行了分析和仿真．基于PMOS衬底驱动技术，设计实现了超低压运算放大器．在0．8V电源电压下，运算放大器的直
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年1期
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