【摘 要】
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本文从准平衡能带图出发,按精确的体产生宽度计算得到了MOS结构C-t瞬态响应曲线的表达式.由此可以直接从测得的C-t曲线计算出少数载流子体产生寿命.从而给出一种求体产生寿命
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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本文从准平衡能带图出发,按精确的体产生宽度计算得到了MOS结构C-t瞬态响应曲线的表达式.由此可以直接从测得的C-t曲线计算出少数载流子体产生寿命.从而给出一种求体产生寿命的新方法.理论计算和实验结果相符.
In this paper, we start from the quasi-equilibrium band diagram and calculate the transient response curve of the MOS structure Ct according to the exact body-generated width, so that the lifetime of the minority carrier can be calculated directly from the measured Ct curve. A new method to find the life span of the body is given. The theoretical calculation is consistent with the experimental result.
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