【摘 要】
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报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW),器件外微分量子效率为65%,阈值电流密度400A/cm2,特征温度120℃,对于100μm条宽、1000μm腔长宽接触激光器,室温连续输出光功率达1瓦以上
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室
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报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW),器件外微分量子效率为65%,阈值电流密度400A/cm2,特征温度120℃,对于100μm条宽、1000μm腔长宽接触激光器,室温连续输出光功率达1瓦以上,并讨论了无铝大功率激光器的阈值、光谱等特性.
Reported a 808nm AlGaAsP / InGaP / GaAs single quantum well confined heterostructure high power laser (SCHSQW) with a low differential pressure (LP) -MOCVD method. The differential quantum efficiency outside the device was 65% and the threshold current density was 400 A / cm2 , The characteristic temperature is 120 ℃. For the 100μm wide and 1000μm cavity length and width contact laser, the continuous output optical power of 1 watt or more at room temperature is discussed. The threshold and spectral characteristics of aluminum-free high power laser are also discussed.
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