【摘 要】
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本文主要介绍两方面内容:一方面是用半密闭式倾斜法液相外延得到GaAsAl_xGa_(1-x)AsSH激光器;另方面,将正交表用于该器件外延工艺中,使阈值电流密度降至6.5千安/厘米~2,工艺
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本文主要介绍两方面内容:一方面是用半密闭式倾斜法液相外延得到GaAsAl_xGa_(1-x)AsSH激光器;另方面,将正交表用于该器件外延工艺中,使阈值电流密度降至6.5千安/厘米~2,工艺稳定。这种工艺中衬底和源在外延过程中一直处于半密封状态,限制了锌和砷的挥发,一次配源可多次使用,节约原料,降低成本。
This paper mainly introduces two aspects: on the one hand, GaAsAl_xGa_ (1-x) AsSH laser is obtained by semi-airtight tilt-phase liquid phase epitaxy; on the other hand, the orthogonal table is used in the epitaxial process of the device to reduce the threshold current density 6.5 kA / cm ~ 2, the process is stable. In this process, the substrate and source are in a semi-sealed state during the epitaxial process, which limits the volatilization of zinc and arsenic. The use of a source can be used multiple times, saving raw materials and reducing costs.
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