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通过球方阱的模型利用自洽迭代的方法计算了Si,InAs等半导体纳米粒子的充电电容,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径.
半导体纳米粒子电容的自洽计算
【摘 要】
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通过球方阱的模型利用自洽迭代的方法计算了Si,InAs等半导体纳米粒子的充电电容,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径.
【机 构】
：
长沙铁道学院信息学院材料研究所,长沙 410075
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2000年4期
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