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以SiO2微粉、石墨、Na3AlF6为原料合成SiC晶须。采用XRD、SEM对产物进行分析，结果表明，在1500℃及Si／Al摩尔比为4：1的条件下生成的晶须质量最佳。对晶须的合成机理进行讨论，认为晶须生长过程为VS机理；Na3AlF6不参与实际的晶须合成反应。计算出气相反应物的过饱和度约为0．005，有利于晶须的生长。