【摘 要】
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NEC公司和Tokuyama公司合作开发的电子束光刻胶能够实现8nm线宽的光刻,边缘粗糙度小于1nm。该电子束光刻胶的成分为氯甲基杯4芳烃,这种烃是由4个苯环结成的直径为0.7nm的环
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NEC公司和Tokuyama公司合作开发的电子束光刻胶能够实现8nm线宽的光刻,边缘粗糙度小于1nm。该电子束光刻胶的成分为氯甲基杯4芳烃,这种烃是由4个苯环结成的直径为0.7nm的环。该产品的原子量很小,因而可达到8nm的分辨率,同时这种材料不易结晶,可保证
E-beam photoresists developed by NEC Corporation and Tokuyama Corporation enable lithography of 8 nm line width with an edge roughness of less than 1 nm. The composition of the electron beam resist is chloromethyl calixarene, which is a ring of 0.7 nm diameter formed by four benzene rings. The product’s atomic weight is very small, which can reach 8nm resolution, while the material is not easy to crystallize, can guarantee
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