高性能硅基MOS电光相位调制器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tdcdc

【摘要】

：

提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器．与普通单一电容型MOS调制器相比，由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率．模拟显示，调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2．4V

【作者】

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黄北举陈弘达刘金彬顾明刘海军

【机构】

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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年12期

【关键词】

：

载流子积累等离子色散效应电光相位调制器金属-氧化物-半导体光电子集成回路 carrier accumulation plasma dispersion

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：60536030,60502005）和国家高技术研究发展计划（批准号：2005AA311030）资助项目

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提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器．与普通单一电容型MOS调制器相比，由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率．模拟显示，调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2．4V·cm，上升和下降时间分别为80和40ps，带宽达到了8GHz．通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度．

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