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氧化铟锡(In2O3∶Sn)是有机太阳能电池电极的关键材料,但由于In2O3∶Sn薄膜结晶所需的高温沉积条件,衬底的性能会降低,影响了太阳能电池的光电性能。本文在传统磁控溅射工艺中引入了一种新的等离子体轰击技术,以提高氧化铟锡(In2O3∶Sn)薄膜的室温结晶性能。研究了不同脉冲直流电压下等离子体轰击对In2O3∶Sn薄膜光电性能和机械性能的影响。结果表明,当脉冲直流电压(|Vp|)高于|-500 V|(|Vp|>|-500 V|)时,薄膜的结晶性明显增强。在室温下制备了厚度为135 nm的In2O